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描述 | MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 16.2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1882pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDD3706-NDFDD3706FSTR |