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描述 | MOSFET N-CH 30V 13A SO8 FL |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 1,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 49.4nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 4850pF @ 15V |
功率 - 最大 | 930mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) |
供应商设备封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTMFS4935NT1G-NDNTMFS4935NT1GOSTR |