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SVD4N60D/F(G)/T   4A、600V N沟道增强型场效应管，N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

SVD4N60D/F(G)/T特点
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力

常见锂离子电池保护电路的MOSFET选取
Pmos和Nmos在锂离子电池保护电路中都有着广泛的应用。通常Pmos 放到正端，Nmos放到负端。在正端，Pmos正常时候，G极低电平，保护时候高电平；而在负端，Nmos正常时候G极高电平，保护时候低电平。而最近新出1芯片，将Nmos放到了正端，通常Nmos会比Pmos成本低，导通阻值会偏小（Nmos导电沟道依靠电子），当然目前也有一些Pmos的导通阻值做到很小，比如TPC8107，做到了5.5个mohm左右。采用什么样的MOS，就需要有什么样的芯片来驱动。
在1-2串的锂离子电池保护电路中几乎都用到了Nmos，单cell的比如手机电池内用一个复合Nmos，而常用的保护芯片有S8241,S8261,R5426，MM3077等。2串锂离子电池的比如一些DV电池同样用到了Nmos，而2串锂离子电池常用保护芯片用S8232，MM1412等。
3-4串主要用笔记本电池，此前所见到的都是在正端用Pmos，那为什么Nmos相对廉价却不采用呢？通常Nmos一般放到负端，这样便于芯片驱动，但是因为笔记本电池需要通讯，包括SMBUS和HDQ都需要用到地线，因此，当电池保护的时候，负端中断，通讯无法进行。当然，我们可以为了保证通讯而将通讯所用到的地线独立出来，直接可以连接到B-，而主机端通讯的结构为开漏极，这样在充电的时候，当MOSFET 关闭的时候，会有漏电流从下图的D1 D2流过。