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描述 | MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | SI7900AEDN |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI7900AEDN-T1-E3TR |