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北京宏科清源科技有限公司
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供应IR公司军品级MOSFET场效晶体管2N6756JANTX
产品详细说明
供应IR公司军品级MOSFET场效应晶体管2N6756JANTX
封装:TO-3
通道类型:N沟道
最大漏源极电压:100V
最大持续漏极电流:14A
RDS-on:210@10V mOhm
最大门源电压:±20 V
典型的延迟时间:35(Max) ns
典型的上升时间:80(Max) ns
工作温度:-55 to 125 °C
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID
