收藏本公司 人气:9091604
12年产品咨询直线:0755-82760193
描述 | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 400mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTJD1155LT1GOSTR |