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北京宏科清源科技有限公司
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供应IR公司军品级MOSFET场效应管IRFF9120
产品详细说明
供应IR公司军品级MOSFET场效应管IRFF9120
IC型号:IRFF9120
IC描述:4A, 100V, 0.60欧姆,P-Channel功率MOSFET
4A, 100V, 0.60欧姆,P沟道功率
MOSFET
这个P -沟道增强型硅栅电
场效应晶体管是专为应用程序,如
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动器,以及高功率双极驱动器开关
晶体管需要高速,低栅极驱动电源.
这些类型可以直接从综合经营
电路.
以前发育类型TA17501
特点
• 4A, 100V
• r
DS(开)
= 0.60Ω
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功率耗散有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide, SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做为氧化层之用。
今日半导体元件的材料通常以硅(silicon)为首选,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中最著名的例如IBM使用硅与锗(germanium)的混合物所发展的硅锗制程(silicon-germanium process, SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(gallium arsenide, GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件