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供应IR公司军品级MOSFET场效应管IRFF9130

  • 供应IR公司军品级MOSFET场效应管IRFF9130
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产品详细说明

供应IR公司军品级MOSFET场效应管IRFF9130

-6.5A, -100V, 0.300欧姆,P沟道功率
MOSFET
这个P -沟道增强型硅栅功率field
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET的设计,
测试,并保证承受specified水平
能源雪崩击穿的运作模式.全
这些功率MOSFET是专为应用,例如
作为开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动器,以及高功率双极驱动器开关
晶体管需要高速,低栅极驱动电源.
这些类型可以直接从综合经营
电路.
以前发育类型TA17511
特点
• -6.5A, -100V
• r
DS(开)
= 0.300Ω
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。
  MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET