收藏本公司 人气:9095816
12年产品咨询直线:0755-82760193
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 7.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15.4nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1390pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 带卷 (TR) |