场效应管 MOSFET N DIRECTFET SH
晶体管极性: ñ频道
电流, Id 连续: 19A
电压, Vds 最大: 100V
在电阻RDS（上）: 62mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4.8V
功耗, Pd: 4.2W
封装类型: SH
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
SMD标号: 6655
功率, Pd: 2.2W
功耗: 4.2W
外宽: 3.95mm
外部深度: 4.85mm
外部长度/高度: 0.7mm
封装类型: SH
时间, trr 典型值: 31ns
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 100V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 20V
电容值, Ciss 典型值: 530pF
电流, Idm 脉冲: 34A
电荷, Qrr @ Tj = 25C 典型值: 37nC
结温, Tj : -40°C
结温, Tj 最高: 150°C
芯片封装类型: SH
表面安装器件: 表面安装
通态电阻, Rds on 最大: 62mohm
阈值电压, Vgs th : 2.8V
阈值电压, Vgs th 最高: 4.8V
