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供应发射芯片TDK5110,TSSOP-16封装TDK5110,英飞凌原装TDK5110

  • 供应发射芯片TDK5110,TSSOP-16封装TDK5110,英飞凌原装TDK5110
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5.3/ 1pcs
交易说明:
原装正品,假一赔十,价格详谈
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送货到卖方指定地点
厂 家:
TDK5110
封 装:
TSSOP-16
批 号:
12+
数 量:
15000
 
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产品详细说明

TDK5110 IC TRANSMITTER ASK/FSK 16-TSSOP - Infineon Technologies 433 ~ 435MHz; 866 ~ 870MHz 遥控,RKE,安全系统 ASK, FSK 20 kbps 11dBm 15.7mA PCB,表面贴装 PCB,表面贴装 - - 2.1 V ~ 4 V -40°C ~ 125°C 16-TSSOP(0.173", 4.40mm 宽) 带卷 (TR)
可替代的包装

 

 英飞凌TDK51lO是一块工作频段在434/868 MHz的单芯片ASK/FSK发送器。芯片具有相当高的系统集成度,片上完全集成了PLL合成器和一个高效率功放以驱动天线,所以使用时只需要非常少的外围电路,适合电路的微型要求。另外其独到的电路和功放模块设计以及睡眠、PLL起振和发射三种模式的设置使得芯片具有很好的低功耗特性。

  对于FSK调制电路的设计,需要分析图2所示电路对发送信号频率的影响。


  其中,CL表示晶振的负载电容;CSW是FSK开关的对地电容,包括了布线时的分布电容,一般可以3 pF计入;对于13.56 MHz的晶振,R=100 Ω;L=4.6μH。该电路是通过外接的Cv1、Cv2值改变晶振负载电容来实现频率变化的。当FSKDTA=0,开关闭合,Cv2和CSW都被短路,Cv1和L构成等效负载电容;当开关打开时,CSW、Cv2都计入回路,Cv1、CSW、Cv2和L构成等效负载电容。晶振振荡频率与负载电容之间的关系为:


  其中:

  CL为晶体振荡在中心频率f时所要求的负载电容。

  C0、C1为晶振内部等效电容值。

  f'=32f,为晶振振荡在中心频率f时的发射频率。

  △f为想要实现的距离晶振中心振荡频率的频偏。

  当采用TDK5110推荐的NX6035SA晶振时,f=13.568 75 MHz,C0=1.5 pF,C1=5.8 pF,CL=12 pF。

  假设为实现“O”的发射△f,计算得到CL0值。但由于芯片内部等效电感的存在,需要修正Cv1值,此时开关闭合,所以修正式子:


  其中ω0为发射“0”时晶振振荡角频率。

  得到:


  在晶振f=13.568 75 MHz时,芯片等效电感L=4.6μH,所以计算可得Cv1=10 pF。

  同样实现“1”的发射△f,计算得到CL1值为此时晶振回路中Cv2和CSW并联后再与Cv1、L串联后的等效电容值。即


  其中ω1为发射“1”时晶振振荡角频率。

  计算得到



  从中可以看出,在Cv1不变情况下,增大Cv2的取值可以减小表示“1”的发送信号频率;在Cv2不变的情况下,增大Cv1也可以减小发射频率。

  本设计采用FSK调制模式,其时序图如图3所示,根据此时序图,发射端单片机选择Atmel公司的AT89C52,用单片机的控制口PO.1、P0.2分别作为发射芯片的FSKDTA和ASKDTA进行数据的调制控制。根据前面计算,设计发射芯片部分电路如图4所示。




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