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ETRON EM636165TS-7G(另有-6G)

【描述】

该EM636165 SDRAM是一种高速同步DRAM CMOS含16 Mbits的.这是内部配置作为双512K x 16具有同步接口位DRAM（所有信号都是在时钟的上升沿注册信号，CLK).的512K x 16位组每个组织为2048 rows由256 16读，写的bits.列对SDRAM访问是突发导向;访问开始在选定的地点和数量持续一段程序在一个程序的序列位置.该EM636165提供可编程的读或写突发 1, 2, 4, 8,或整页的长度，以突发终止选项.自动预充电功能可能被启用，以提供一个自定时行预充电是发起该突发序列结束.刷新功能，无论自动或自刷新易于使用.通过让一可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的方式，以最大限度地提高其性能.这些器件非常适用于需要高内存带宽，特别适合于高性能应用PC应用。

【特性】

快速存取时间：4.5/5/5/5.5/6.5/7.5 ns
快速时钟速率：200/183/166/143/125/100 MHz
自刷新模式：标准和低功耗
完全同步操作
内部流水线结构
512K x 16位x 2-bank
可编程模式寄存器
- CAS# 延时：1, 2,或3
- 突发长度：1, 2, 4, 8,或整页
- 突发类型：交错式或线性突发
- 突发停止功能
单个字节的LDQM和UDQM控制
自动刷新和自刷新4096刷新
周期/ 64ms
CKE省电模式
单+3.3V±0.3V电源
接口：LVTTL
50-pin 400 mil塑料TSOP II 包装
60-Ball, 6.4 mm x 10.1 mm VFBGA 包装
（最大总包装 height=1.0 mm)

【温馨提示】

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