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BSR43 参数 标准包装 1,000 类别 分离式半导体产品 家庭 晶体管(BJT) - 单路 系列 - 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大） 1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） 500mV @ 50mA, 500mA 电流 - 集电极截止（最大） - 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 100mA, 5V 功率 - 最大 1.35W 频率 - 转换 100MHz 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-243AA 包装 带卷 (TR) 晶体管损坏原因 　　（1）电路中的电压、电流、输出功率　过载引起损坏在晶体管电路中主要与集电极－发射极间的电压VCC、集电极－基极VCB与晶体管固有的特性参数(如VCBO、VCEO、ICBO、ICEO、PCM)及工作条件有关。如果电路中晶体管的集电极VCEO电压超过了最大值，就会造成晶体管的损坏。 　　（2）热损坏　在晶体管手册中一般所指的最大电压，通常是常温(25℃)下的值。因此，在环境温度较高或在最高结温下使用时，晶体管工作的实际最大电压将小于常温时的值，此时晶体管的ICBO和IEBO也会增加，造成结温上升，而结温升高又会使ICBO和IEBO更进一步增大而形成雪崩现象，结果热击穿而损坏。 　　（3）二次击穿引起的损坏　在晶体管电路中，当集电极电压升高时首先会出现一次击穿，使IC急剧增加。当其电压增加到某一临界值后压降会突然降低，形成很大的过电流，造成二次击穿而损坏。 　　（4）外界环境变化引起的损坏　外界环境变化是指机械振动、外力冲击、潮湿、化学物品的侵蚀等外界因素造成的损坏。