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SPANSION S29GL128P90TFCR20

【描述】

S29GL256/128/064/032M 系列的设备是单电源闪存3.0 V内存制造过程中利用0.23 um MirrorBit技术.是的S29GL256M256 Mbit,组织为16,777,216字或33,554,432字节.该S29GL128M是128 Mbit,作为8,388,608字或16,777,216字节.该S29GL064M是64 Mbit,作为4,194,304字或8,388,608字节.该S29GL032M是32 Mbit,作为2,097,152字或4,194,304字节. De-根据型号的等候，这些设备有一个8-bit范围内的数据总线只，16-位宽的数据总线只，或一16-bit范围内的数据总线的也可以作为一8-位宽的数据总线使用字节＃输入.该设备可以被编程ei-ther在主机系统或者标准EPROM编程器

【特性】

建筑的优点
单电源工作
— 3伏读取，擦除和编程操作
在制造过程中的MirrorBit 0.23 um
技术
SecSi （担保硅）扇形区域
— 128-word/256-byte部门永久，安全
通过随机识别8-word/16-byte
电子序列号，通过访问
命令序列
—进行编程并锁定在工厂或
客户
灵活的部门架构
— 256Mb: 512 32 Kword (64字节）部门
— 128Mb: 256 32 Kword (64字节）部门
— 64Mb（制服行业机型）：128 32 Kword (64
字节）的行业或部门128 32 Kword
— 64Mb（引导行业机型）：127 32 Kword (64字节）
行业+ 8 4Kword (8Kbyte)引导扇区
— 32Mb（制服行业机型）：64 32Kword (64
字节）部门64 32Kword部门
— 32Mb（引导行业机型）：63 32Kword (64字节）
行业+ 8 4Kword (8Kbyte)引导扇区
兼容JEDEC标准
—提供接脚分布和软件兼容性单
电源闪光灯，以及优越的无意写
保护
100,000每个部门的典型擦除周期
20-year数据保留典型
— 16-word/32-byte写缓冲降低整体
编程时间多字的更新
低功率消耗（典型值3.0 V, 5
MHz)
— 18 mA典型的积极读取当前(64 Mb, 32 Mb)
— 25 mA典型的积极读取当前(256 Mb, 128 Mb)
— 50 mA典型的擦除/编程电流
— 1 µA典型待机模式电流
包装选项
— 40-pin TSOP
— 48-pin TSOP
— 56-pin TSOP
— 64-ball强化BGA
— 48-ball细间距BGA
— 63-ball细间距BGA
软件和硬件特点
软件功能
—程序挂起和个人简历：读其他行业
编程操作前完成
—擦除挂起和个人简历：读/编程其它
前一部门的擦除操作完成
—数据＃投票站提供状态及切换bits
— CFI（通用闪存接口）标准：允许主机
系统来识别和容纳多重闪光
设备
—解锁程序命令降低整体绕道
多字的编程时间
硬件特性
—类别组保护：硬件级方法
防止一个部门内编写组操作
—临时机构撤消：V
ID
级方法
在锁定部门收费代码
— WP#/ACC输入加速编程时间
（当高压加）更大的吞吐量
在系统的生产.第一个或最后一个扇区保护
无论部门保护设置上一样的
部门模式
—硬件复位输入（复位＃）复位装置
—就绪/忙＃输出（RY /按＃）检测程序或
擦除周期结束
性能特点
高性能
— 90 ns访问时间(128Mb, 64Mb, 32Mb),
100 ns访问时间(256Mb)
— 4-word/8-byte页面读取缓冲区
— 25 ns页面读取时间(128Mb, 64Mb, 32Mb)
— 30 ns页面读取时间(256Mb)
— 16-word/32-byte写缓冲区

【温馨提示】

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