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供应CY7C1061AV33-10ZXI原装现货库存,深圳创航联电子商行.

  • 供应CY7C1061AV33-10ZXI原装现货库存,深圳创航联电子商行.
产品价格:
面议/ 1pcs
交易说明:
全新原装现货,深圳创航联电子商行.
厂 家:
CY7C1061AV33-10ZXI
封 装:
TSOP
批 号:
11+
数 量:
200
 
点此询价

产品咨询直线:0755-82525591

产品详细说明

■高速
❐TAA= 10纳秒
■低有功功率
❐990兆瓦(最大)
■工作电压3.3±0.3 V
■2.0 V数据保留
■自动断电时取消
■TTL兼容的输入和输出
■易内存扩展与CE1
 和CE2
 功能
■可提供无铅和非无铅54引脚TSOP II封装
非无铅60球细间距球栅阵列(FBGA)

功能说明
CY7C1061AV33是一种高性能CMOS静态RAM
组织为1,048,576个字(16位)。
要写入的设备,使芯片(CE1
 低和CE2
 HIGH)
同时迫使写使能(WE)输入低电平。如果低字节
启用(BLE)低,则数据从I / O引脚(I/O0
 通过I/O7

被写入的位置上指定的地址引脚(A0
通过A19
)。如果高位字节启用(BHE)为低,那么数据
I / O引脚(I/O8
 通过I/O15
)被写入到指定的位置
在地址引脚(A0
 通过A19
)。
从设备读取,使该芯片通过CE1
 LOW和
CE2
 输出使能(OE)低和高,而强迫
写使能(WE)高。如果启用低字节(BLE)为低,那么
数据从指定的存储单元的地址引脚
出现在I/O0
 到I/O7
。如果高位字节启用(BHE)为低,那么
从内存中的数据将出现在I/O8
 到I/O15
。见真值表
第8页的完整描述读写模式。
的输入/输出管脚(I/O0
 通过I/O15
)被放置在一个
高阻抗状态时,该设备是取消(CE1
HIGH/CE2
 LOW)时,输出被禁用(OE高),BHE
和BLE被禁用(BHE,BLE高),或写操作
在建(CE1
 低,CE2
 高,我们低)