概念
ATtiny2313是基于增强的AVR RISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先进的指令集以及单时钟周期指令执行时间， ATtiny2313 的数据吞吐率高达1 MIPS/MHz，从而可以缓减系统在功耗和处理速度之间的矛盾
[1]。
AVR 内核
AVR 内核具有丰富的指令集和32 个通用工作寄存器。所有的寄存器都直接与算逻单元(ALU) 相连接，使得一条指令可以在一个时钟周期内同时访问两个独立的寄存器。这种结构大大提高了代码效率，并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的数据吞吐率。
ATtiny2313有2K字节系统内可编程Flash，128字节EEPROM，128字节SRAM， 18 个通用 I/O 口线， 32 个通用工作寄存器，对片内调试的单线接口， 2 个具有比较模式的灵活的定时器/ 计数器，片内/ 外中断，串行可编程USART，有启动状态检测器的通用串行接口， 含片内振荡器的可编程看门狗定时器，以及三种可以通过软件进行选择的省电模式。工作于空闲模式时CPU 停止工作，而SRAM、T/C 以及中断系统继续工作；掉电模式时晶体振荡器停止振荡，所有功能除了中断和硬件复位之外都停止工作； Standby 模式下只有晶体振荡器运行，使得器件只消耗极少的电流，同时具有快速启动能力。
本芯片是以Atmel 高密度非易失性存储器技术生产的。 通过SPI 串行接口或非易失性存储器编程器可对程序存储器进行系统内编程。通过将8 位RISC CPU 与系统内可编程的Flash 集成在一个芯片内，ATtiny2313 成为一个功能强大的单片机，为许多嵌入式控制应用提供了灵活而低成本的解决方案。
ATtiny2313 AVR 具有一整套的编程与系统开发工具，包括：C 语言编译器、宏汇编、 程序调试器/ 软件仿器、仿真器及评估板。
编辑本段产品特性
· 使用 AVR® RISC 结构
· AVR – 高性能、低功耗的RISC 结构
– 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
– 32 个8 位通用工作寄存器
– 全静态工作
– 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS
· 数据与非易失性程序和数据存储器
– 2K字节的系统内可编程Flash
擦写寿命: 10,000 次
– 128 字节的系统内可编程EEPROM
擦写寿命: 100,000 次
– 128 字节的片内SRAM
– 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密
· 外设特点
– 具有独立预分频器及比较模式的8 位定时器/ 计数器
– 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16 位定时器/ 计数器
– 四路 PWM 通道
– 片内模拟比较器
– 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
– USI – 全局串行接口
– 全双工 USART
· 特殊的处理器特点
– debugWIRE 片上调试
– 通过SPI 端口在系统内可编程
– 片内/ 片外中断源
– 低功耗空闲模式、掉电模式、Standby 模式
– 增强型上电复位
– 可编程的掉电检测
– 片内标定振荡器
· I/O 和封装
– 18可编程I/O 线
– 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与32 引脚MLF
· 工作电压
– 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
– 2.7 - 5.5V (ATtiny2313)
· 速度等级
– ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V
– ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
· 功耗估计
– 正常模式:
1 MHz, 1.8V: 300 μA
32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器)
– 掉电模式:
