深圳市佳冠捷科技有限公司 （非本站正式会员）

 特点:

•；单一电压读和写操作

—2.7 - -3.6 V

•；串行接口结构

—SPI兼容:模式0和模式3

•；高速时钟频率

—多达80 MHz

•；较高的可靠性

-耐力:100000周期(典型的)

—大于100年数据保留

•；低功耗:

—阅读当前活跃:10硕士(典型的)

—备用当前:5μA(典型的)

•；灵活的擦除能力

—4 kb,行业统一

—32 kb块均匀覆盖

—64 kb块均匀覆盖

•；快擦除和Byte-Program:

—Chip-Erase时间:35毫秒(典型的)

—部门- / Block-Erase时间:18 ms(典型的)

—Byte-Program时间:7μs(典型的)

•；汽车地址Increment(AAI)编程

—减少总芯片编程时间

Byte-Program操作

•；End-of-Write检测

—软件轮询忙一点状态寄存器中

—忙状态读出如此大头针在AAI模式

•；持有销钉(持有#)

—把一个简陋的串行序列的内存

没有取消选择设备

•；写保护(WP #)

—使/禁用锁定功能

状态寄存器

•；软件保护写

通过Block-Protection写保护钻头

状态寄存器

•；温度范围

—商业:0°C + 70°C

—工业:-40°C + 85°C

•；可用包

—8-lead SOIC(200毫升)

—8-contact WSON(6毫米×5毫米)

•；所有non-Pb(无铅)设备RoHS兼容

产品描述

SST的25系列串行Flash家庭功能一个四线,

SPI-compatible接口,允许pin-c o u n t低

包占据更少的空间,最终董事会

降低整个系统的成本。SST25VF016B设备的

增强与改进的操作频率,甚至

更低的能耗比原来的SST25VFxxxA

设备。SST25VF016B SPI串行闪存记忆

制造海温专有的、高性能

CMOS SuperFlash技术。split-gate的电池的设计

和thick-oxide喷油器达到更好的可靠性和隧道

可制造性与交替的方法。

SST25VF016B设备的显著提高性能

和可靠性,同时降低能耗。

这些设备编写(程序或擦除)与一个单一的权力

供应2.7 - -3.6 SST25VF016B V。总能量

消费是一个函数的应用的电压、电流、和

时间的应用程序。因为对于任何给定的电压范围,

SuperFlash技术使用更少的当前程序和

有一个短时间抹去,总能量消耗在吗

任何删除或者程序操作不到替代

闪存技术。

SST25VF016B的设备提供两8-lead SOIC

(200毫升)和8-contact WSON(6毫米×5毫米)包。