深圳市大兴华微电子商行 (非本站正式会员)

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供应MOSFET场效应管 IRLR7843TRPBF 原装正品

  • 供应MOSFET场效应管 IRLR7843TRPBF 原装正品
产品价格:
1/ 1pcs
交易说明:
网上银行付款快捷支付支付宝余额付款
配送说明:
全国快递
厂 家:
IR
封 装:
TO-252
批 号:
12+
数 量:
30000
 
点此询价

产品咨询直线:0755-83287780

产品详细说明

数据列表 IRLR7843PbF, IRLU7843PbF
产品相片 TO-252
产品目录绘图 IR Hexfet DPak
标准包装 1
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 161A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4380pF @ 15V
功率 - 最大 140W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 Digi-Reel®
数据列表 IRLR7843PbF, IRLU7843PbF
产品相片 TO-252
产品目录绘图 IR Hexfet DPak
标准包装 1
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 161A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4380pF @ 15V
功率 - 最大 140W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 Digi-Reel®
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRLR7843PBFDKR
IRLR7843TRPBF MOSFET场效应管参数
 
产品封装:TO-252
产品目录绘图:IR Hexfet DPak
标准包装 1
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 161A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4380pF @ 15V
功率 - 最大 140W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 Digi-Reel®