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NAND FLASH ;规格256M; TSOP封装;包装：960PCS; 适用于mid，mp4,等...
品牌：samsung    型号：K9F2G08U0B-PCB0    批号： 2011
封装：TSOP48    营销方式：现货        产品性质：热销
处理信号：数模混合信号     制作工艺：半导体集成     导电类型：单极型
集成程度：小规模 规格尺寸：12*22.5*1.21（mm）    工作温度：-40~85（℃）
静态功耗：0（mW） 类型：存储器

NAND FLASH:
东芝128M:TC58NVG0S3ETA00原包
东芝256M:TC58NVG1S3ETA00原包
三星128M:K9F1G08U0C-PCBO原包
三星128M:K9F1G08U0D-SCBO原包
三星256M:K9F2G08U0B-PCBO/PIBO原包
三星256M:K9F2G08U0C-SCBO原包
三星512M:K9F4G08UOB-PCBO原包
三星512M:K9F4G08UOD-SCBO原包
三星2GB:K9GAG08U0E-SCB0原包
三星2GB:K9GAG08U0F-SCB0原包
三星4GB:K9GBG08U0A-SCB0原包
三星4GB:K9LBG08U0D-PCB0原包
三星16GB:K9HDG08U1A-SCBO原包
现代32M:HY27US08561A-TPCB原包
现代2GB:H27UAG8T2BTR-BC原包
现代4GB:H27UBG8T2ATR-BC原包
现代4GB:H27UBG8T2BTR-BC原包
现代8GB:H27UCG8T2MYR-BC原包
现代8GB:H27UCG8T2ATR-BC原包
英特尔4GB:JS29F32G08AAMDB原包
镁光4GB:MT29F32G08CBACAWP原包
镁光4GB:MT29F32G08CBABAWP原包
镁光8GB:MT29F64G08CBAAAWP原包
镁光16GB:MT29F128G08CFAAA原包

SDARM 8M*16:H57V1262GTR-60C/75C原包
SDARM 8M*16:K4S2816320-LC60原包
SDARM 16M*16:H57V2562GTR-60C/75C原包
SDARM 32M*16:K4S561632N-LC60原包
DDR 16M*16:K4H561638N-LCCC原包
DDR 32M*16:K4H511638J-LCCC原包
DDR 32M*16:H5DU5162ETR-E3C原包
DDR2 64M*16:K4T1G164QF-BCE7原包
DDR2 64M*16:H5PS1G63EFR-S6C原包
DDR3 128M*16:K4B2G1646C-HCH9原包
DDR3 128M*16:H5TQ2G63BFR-H9C原包
DDR3 256M*8:H5TQ2G83CFR/BFR-H9C原包
DDR3 128*8:H5TQ1G83DFR-H9C原包
DDR3 128M*8:MT41J128M8JP-15E:G原包