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深圳市颢天电子有限公司
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产品分类
IC芯片(302000)集成电路(IC)(16)电源IC(2)二极管(7)场效应管MOSFET(5)单片机(2)电容器(15)电阻器(2)电感器(9)电源/稳压器(3)石英晶体器件(2)放电管(1)继电器(5)光电子/光纤/激光(2)其他未分类(8)
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供应IRL510 MOSFET 晶体管 IRL510原装现货
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- 快递
- 厂 家：
- IR
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 25640
产品咨询直线：0755-82546293
产品详细说明
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.3 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 250 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3.7 W | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.54 | |
| 最大连续漏极电流 | 5.6 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm |
描述
先进的HEXFET®国际整流器的功率MOSFET利用先进的加工技术,以实现极低每硅片面积的阻力.这样做的好处,与快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了非常有效和可靠的设备在各种应用中使用的设计师.在D2Pak是一个表面装载电源包装能够容纳电路小片尺寸可达HEX-4.它提供了最高权力能力和中任何现存的表面装载 包装的阻力可能.在D2Pak是适合高电流应用,因为其低廉的内部连接性和可耗散在典型表面装载应用程序2.0W
