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批发供应功率MOSFET管IRFPC60LCPBF 现货供应IRFPC60LCPBF

  • 批发供应功率MOSFET管IRFPC60LCPBF 现货供应IRFPC60LCPBF
产品价格:
1/ 1pcs
厂 家:
IR
封 装:
TO-220
批 号:
12+
数 量:
10000
 
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产品咨询直线:0755-83287780

产品详细说明

功率MOSFET管IRFPC60LCPBF的参数

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 9.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V
功率 - 最大 280W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
标准包装 500
 
美国国际整流器公司(InternatiONal Rectifier)上市了3种面向D类音频放大器等高频开关的功率MOSFET。包括耐压(漏源电压)为+60V的“AUIRF7640S2”、+100V的“AUIRF7647S2”及+150V的“AUIRF7675M2”3种。均属于“DirectFET2”产品系列,符合车载零部件质量标准“AEC-Q101”。

  该产品的特点是为改善D类音频放大器总谐波失真(THD)和转换效率,削减了全部栅极电荷量(Qg)。比如,+60V耐压品的全部栅极电荷量仅为7.3nC(标准值)。同时还将逆向恢复电荷量(Qrr)降低至24nC(标准值)。除了能改善总谐波失真外,还具有减小EMI(电磁辐射)的作用。最大漏电流为21A。导通电阻方面,栅源间电压为+10V时最大为36mΩ,标准值为27mΩ。栅极电阻标准值是3.5Ω。将这一功率MOSFET用于D类音频放大器输出级、连接8Ω负荷时,可获得100W的输出功率。