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深圳市大兴华微电子商行
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供应数字音频MOSFET管IRFB4110PBF原装正品
产品详细说明
IRFB4110PBF的参数
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9620pF @ 50V
功率 - 最大 370W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
特点•关键参数优化的D类音频放大器的应用•低RDSON为提高工作效率•低QG和QSW为更好地THD和改进效率•低QRR更好的THD,EMI较低•175°C工作结温度坚固耐用•可提供高达每通道300W到8Ω负载半桥拓扑GSD
