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产品价格:
交易说明:
XC6204B332MR
配送说明:
XC6204B332MR
厂 家:
TOREX
封 装:
SOT23-5
批 号:
2012
数 量:
30000
 
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产品详细说明

XC6204B332MR为用高阻半导体制成的锗NPN型和硅PNP型磁敏晶体管。在锗磁敏晶体管的发射极e一侧用喷砂方法损伤一层晶格,设置载流子复合速率很大的高复合区r,而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁敏晶体管具有板条状结构,集电区和发射区分别设置在板条的两面,而基极b设置在另一侧面上。硅磁敏晶体管具有平面结构,发射区、集电区、基极均设置在硅片表面。磁敏晶体管的一个主要特点是基区宽度W大于载流扩散长度,因此它的共发射极电流放大系数小于1,无电流增益能力。另外,发射极-基区-基极是N PP 型或P NN 型长二极管,即N PP 型或P NN 型磁敏二极管。因此,磁敏晶体管是在磁敏二极管的基础上设计的长基区晶体管。伏安特性与普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知,磁敏三极管的电流放大倍数小于1。 磁电特性   华文中宋磁敏三极管的磁电特性是应用的基础,右图为国产NPN型3BCM(锗)磁敏三极管的磁电特性,在弱磁场作用下,曲线接近一条直线。