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LED照明电源MOSFET CS8N80A8H HJ 8N80

  • LED照明电源MOSFET CS8N80A8H HJ 8N80
产品价格:
面议/ 1pcs
交易说明:
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厂 家:
HJ
封 装:
TO-220AB
批 号:
11+
数 量:
50000
 
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产品详细说明

 

CS8N80A8H

应用领域:小功率充电器、PC电源

 

品牌: 华晶 型号: CS8N80A8H
种类: 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型: N沟道
导电方式: 耗尽型 用途: D/变频换流
封装外形: SP/特殊外形 材料: N-FET硅N沟道
最大耗散功率: 190 最大漏极电流: 9

 

华晶的MOS管主要分为四类:
1、200V极其以下:
代表型号有:CS90N03B4(25V/90A)主要应用于计算机主板和安定器中。
CS3205B8(55V/110A)主要应用于UPS,逆变器等。
CSZ44V(60V/55A)主要应用于UPS,安定器等。
CS75N75B8H(75V/100A)主要应用在电动车控制器,安定器等。
CS3410B3(100V/17A)主要应用在汽车充电控制。
CS540B8(100V/33A)在UPS/逆变器领域广泛应用。
CS3710B8(100V/57A)在UPS/逆变器领域广泛应用。

2、400V-500V系列:
代表型号有:CS730A8H(可替代IRF730),主要应用于电子镇流器/常压节能灯/CS740A8H(可替代IRF740),主要应用于电子镇流器/常压节能灯。
CS3N50B8(500V/3A),应用于电子镇流器/常压节能灯等。
CS830A8H(500V/5A),应用在镇流器/节能灯/安定器等。
CS840A8H(500V/8A),应用在镇流器/节能灯/安定器等。
CS13N50A8H(500V/13A),应用在镇流器/节能灯/跑步机等。

 

上海斐商电子科技有限公司具有上十年对电子零件通路市场行销的经验,伴随中国电子行业的发展共同成长,我们立志为电源,照明,汽车电子,电机以及工业控制领域的广大客户提供多方位优质高效服务。公司代理Malico 散热片;华晶三极管,MOSFETBUFAN 二极管,蓝宝保险丝等,奉行客户第一,以共赢为目的,用产品,服务说话,期待与行业客户的合作,联系电话;田华 Henry Tian

18964366969

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3、600V系列常用型号有1N602N604N605N606N607N608N6010N6012N6020N60,2N65,4N65,5N65,8N65,10N65等,封装覆盖了TO-92,TO-251,TO-252,TO-220,TO-220F,TO-247,TO-3P等。

800-900V系列:常用型号有800V:CS1N80A1H,CS3N80A8,CS4N80A8H,CS8N80A8H;900V:CS8N90A8H,CS9N90ANHD。

Huajing Discrete Devices

Silicon N-Channel Power MOSFET CS8N80A8H

VDSS

         800

V

ID

9

A

PD(TC=25)

         190

W

RDS(ON)

         0.95

General Description

CS8N80A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs,is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.

Features

z Fast Switching

z Low ON Resistance(Rdson1.25)

z Low Gate Charge (Typical Data:48nC)

z Low Reverse transfer capacitances(Typical:17pF)

z 100% Single Pulse avalanche energy Test

Applications

Power switch circuit of adaptor and charger.

AbsoluteTc= 25 unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Rating

Units

VDSS

Drain-to-Source Voltage

800

V

ID

Continuous Drain Current

9

A

Continuous Drain Current TC = 100 °C

5.4

A

I a1

DM

Pulsed Drain Current

36

A

VGS

Gate-to-Source Voltage

±30

V

E a2

AS

Single Pulse Avalanche Energy

950

mJ

E a1

AR

Avalanche Energy ,Repetitive

85

mJ

I a1

AR

Avalanche Current

13.8

A

dv/dt a3

Peak Diode Recovery dv/dt

5.0

V/ns

PD

Power Dissipation

190

W

Derating Factor above 25°C

1.52

        W/

TJTstg

Operating Junction and Storage Temperature Range

                  15055 to 150

TL

MaximumTemperature for Soldering

300