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北京名动晶华科技有限公司供应德国英飞凌BSM50GB120DN2，BSM50GB120DN2特价现货，IGBT驱动保护电路的原则，有需要者联系13811136672

BSM50GB120DN2的参数信息：

制造商：Infineon

产品种类：IGBT 模块

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

集电极—射极饱和电压：2.5 V

在25 C的连续集电极电流：78 A

栅极—射极漏泄电流：200 nA

功率耗散：400 W

最大工作温度：+ 150 C

封装 / 箱体：Half Bridge1

栅极/发射极最大电压：20 V

安装风格：Screw

工厂包装数量：500

驱动保护电路的原则

由于IGBT是电压控制型器件，因此只要控制ICBT的栅极电压就可以使其开通或关断,并且开通时维持比较低的通态压降.研究表明,IGBT的安全工作区和开关特性随驱动电路的改变而变化.因此,为了保证IGBT可靠工作，驱动保护电路至关重要。

IGBT驱动保护电路的原则如下：   (1)动态驱动能力强，能为栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲；   (2)开通时能提供合适的正向栅极电压12V—15V，关断时可以提供足够的反向关断栅极电压(-5V)；   (3)尽可能少的输入输出延迟时间，以提高工作效率；   (4)足够高的输入输出电气隔离特性，使信号电路与栅极驱动电路绝缘；   (5)出现短路、过流的情况下，具有灵敏的保护能力。   目前，普遍使用驱动与保护功能合为一体的IGBT专用的驱动模块。

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