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供应Vishay/Siliconix半导体SI3457BDV-T1-E3,SI3457BDV-T1-E3原装正品,SI3457BDV-T1-E3现货热卖

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Vishay/Siliconix
数 量:
325
 
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产品咨询直线:0755-82570947

产品详细说明

描述MOSFET 30V 4.3A 2W
RoHS
• 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
• 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
• 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
• 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET 30V 4.3A 2W
制造商Vishay
产品种类MOSFET
晶体管极性P-Channel
汲极/源极击穿电压30 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流3.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)54 mOhms
配置Single Quad Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP
封装Reel
下降时间10 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散1140 mW
上升时间10 ns
工厂包装数量3000
商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间30 ns
零件号别名SI3457BDV-E3

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