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深圳市佳富利电子有限公司
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产品分类
供应NAND04GW3B2BN6E半导体，STMicroelectronics品牌半导体NAND04GW3B2BN6E 原装现货
产品详细说明
| 描述 | 闪存 NAND 4 Gb |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：Flash NAND 4 Gb |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品种类 | 闪存 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储类型 | NAND Flash |
| 存储容量 | 4 Gbit |
| 结构 | Sectored |
| 接口类型 | Parallel |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min | 2.7 V |
| 最大工作电流 | 30 mA |
| 工作温度 | + 85 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TSOP |
| 封装 | Tray |
| 组织 | 128 KB x 4096 |
| 工厂包装数量 | 96 |
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