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深圳斯普仑科技有限公司
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产品分类
- RAM(随机存取存储器)(63)
- 双集型RAM(2)
- DRAM(MOS型动态存储器)(31)
- Flash Memory(闪存/快闪存储器)(80)
- Nand flash(10)
- 贴片/片式/SMD二极管(63)
- 其他二极管(3)
- 复合(达林顿)三极管(1)
- 其他三极管(2)
- 其他场效应管模块(4)
- 单向可控硅(晶闸管)(1)
- 热敏电阻(1)
- 条形(压接式)连接器(2)
- 整体式PLC(1)
供应APT94N60L2C3G 原装正品优势热卖
产品详细说明
封装类型:插件
极性:N沟
I:94A
VDs:600V
Rds:35mΩ
PD:833W
封装:TO-264
应用范围:电磁
产品系列:3RH12
触点形式:常开型
额定电压:AC200-230(V)
电流性质:直流
外形尺寸:超小型
触点负载:中功率
防护特征:敞开式
直流电阻:1(Ω)
吸合电流:1(A)
释放电流:1(A)
触点切换电压: 1(V)
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 94A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 35 毫欧 @ 60A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.9V @ 5.4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 13600pF @ 25V
功率 - 最大 833W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
供应商设备封装 264 MAX™ [L2]
包装 管件
产品目录页面 1634 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND