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易乾電子（香港）有限公司
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联系方式
- 地址：广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋4楼YO2室
- 联系人：David.He
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供应MOSFET IR品牌IRF9Z34NPBF，现货库存IRF9Z34NPBF，电流 - 连续漏极(ID) @ 25° C：19A IRF9Z34NPBF
产品详细说明
标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：19A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：620pF @ 25V
功率 - 最大：68W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF9Z34NPBF
NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系 MOSFET在线性区操作的截面图 MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold region） 当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。 但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的积体电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。
易乾电子（香港）有限公司
公司有分两个事业部门.致力于节能环保事业高科技有限公司。
电子元件事业部门与LED光电事业部门
电子元件事业部门经营世界一流半导体品牌的MOSFET/IGBT。包括
英飞凌 INFINEON，仙童 FAIRCHILD，恩智蒲 NXP，威世 VISHAY 国际整流 IR，东芝TOSHIBA 意法半导体 ST
同时生产销售电源产品中常用的快恢复跟肖特基。
生产工厂在无锡。
LED 光电事业部门
生产品质一流,出口的球泡灯,
射灯,蜡烛灯,T8管.
主要应用于商场,酒店,宾馆,商业场所.
生产工厂位于平湖
地址：广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋4楼YO2室
联系人：David.He
电话：0755-23816639/82517051
传真：0755-23816629
手机：13510010948
