微逻辑集成电路（深圳）电子 （非本站正式会员）

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手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商，主要为：低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller（升压IC/控制IC） Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器，经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

另，微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍，分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重，内阻大。可用低端小电流产品（如MP3、MP4及一些小型产品上）
 

中端MOS管以台系为主，主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能，性能一般。
 
高端MOS管以日系为主：日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。

以上只为提供参考，如有需求或者需要提供技术支持请致电我司，或者发送邮件到‘Micrologic@foxmail.com ’我们将以更方便快捷的服务为你解决你的燃眉之急。

　　(2)输出特性UDS与ID的关系称为输出特性，若用曲线表示，该曲线就称为输出特性曲线。它的定义是：当栅极电压UGS恒定时，ID随UDS的变化关系，即结型场效应管的输出特性曲线如图所示。从图中可以看出，结型场效应管的输出特性曲线分为三个区，即可变电阻区、饱和区及击穿区。当UDS较小时，漏极附近不会发生预夹断，因此随着UDS的增加，斤也增加。这就是曲线的上升部分，它基本上是通过原点的一条直线，这时可以把管子看成是一个可变电阻。当UDS增加到一定程度后，就会产生预夹断，因此尽管UDS再增加，但IS基本不变。因此预夹断点的轨迹就是两种工作状态的分界线。把曲线上UDS=UGS-UP的点连接起来，便可得到预夹断时的轨迹，如图中左边虚线所示。轨迹左边对应不同UGS值的各条直线，通称为可变电阻区；轨迹右边的水平直线区称为饱和区，结型场效应管作放大用时，一般都工作在饱和区。结型场效碰管的输出特性曲线如果冉继续增大UDS,将使反向偏置的PN结击穿，这时IS将会突然增大，管子进入击穿区。管子进入击穿区后，如果不加限制，将会导致管子损坏。结型场效应管的输出特性曲线P1沟道结型场效应管的特性曲线，除了电流、电压的方向与N沟道结型场效应管相反外，两者的其他特性完全类似。

　　(3)结型场效应管的放大作用结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用，可以通过图所示电路来说明这一作用。当把变化的电压加入输入回路时，将引起漏极电流的变化。如果负载电阻RL选得合适，就完全可以使输出端的电压变化比输入端的电压变化大许多倍，这样电压便得到了放大。例如，输入电压从OV变化到-1V，变化了1V，此时ID则由5mA降到2.1mA，变化了2.9mA，便可在5.1kΩ的负载电阻的两端得到2.95X5.1≈14.8V的电压变化，这样场效应管便把输人电压放大了14.8倍。