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厂 家:
ON
封 装:
TO-263
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产品详细说明

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:46 毫欧 @ 15A. 5V

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:30A

Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1150pF @ 25V

功率 - 最大:88.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:D2PAK

其它名称:NTB30N06LT4GOS