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厂 家:
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TO-252
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11+
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产品详细说明

源漏极间雪崩电压VBR(V):25

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500

最大漏极电流Id(on)(A):62

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150

描述:62A, 25V功率MOSFET 

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