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特点
·快速读取访问时间 - 150 ns的·自动页写操作内部地址和数据锁存器为64字节内部控制定时器·快速写周期
页写周期时间：3 ms，10 ms最1到64字节页写操作·低功耗50 mA有源电流200毫安CMOS待机电流·硬件和软件数据保护数据轮询结束写检测·高可靠性CMOS技术耐力：104或105次数据保存：10年·单5V±10％电源·CMOS和TTL兼容输入和输出JEDEC批准字节宽的引脚·完整的军事，商业和工业温度范围

描述
AT28C256是一个高性能的电可擦除和可编程只读记忆体。 256K的内存被组织为32,768词的8 bits。制造与Atmel的非易失性CMOS先进技术，设备提供访问次，为150 ns，功耗仅为440毫瓦。当该设备是取消，CMOS待机电流是小于200毫安。

AT28C256是像静态RAM的读访问或写周期，而不需要对外部元件。该器件包含一个64字节的页寄存器允许写入高达64字节的同时。在写周期期间，1到64个字节的数据的地址和内部锁存，释放用于其他操作的地址和数据总线。在一个写周期的开始，该设备
将自动写入锁存的数据，使用一个内部控制定时器。可以检测到一个写周期的结束数据查询的I/O7。一旦一个写周期的结束
被检测到用于读出或写入就可以开始一个新的访问。Atmel公司的28C256具有额外的功能，以确保高质量和可制造性。该器件采用内部误差校正的扩展和改进的耐力数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制，以防范意外的写道。该装置还包括一个额外的64个字节E2PROM设备识别或跟踪。