深圳市卓越盛科技有限公司 (非本站正式会员)

深圳市卓越盛科技有限公司

营业执照:已审核经营模式:经销商所在地区:广东 深圳企业网站:
http://zyskj.dzsc.com/

收藏本公司 人气:130990

联系方式

  • 地址:新亚洲电子市场一期4c003
  • 联系人:原装热线!:赵先生
  • 电话:0755-61329486
  • 传真:0755-82812573
  • 手机:13316853448
  • QQ: QQ:2449766812 
  • E-mail:hertic@21cn.com

LTC4370CMS#PBF供应现货原装正品、芯片LTC4370IMS#PBF现货!!

  • LTC4370CMS#PBF供应现货原装正品、芯片LTC4370IMS#PBF现货!!
产品价格:
8/ 1pcs
8/ 10pcs
8/ 100pcs
厂 家:
LT
封 装:
MSOP16
批 号:
10+
数 量:
200
 
点此询价

产品咨询直线:0755-61329486

产品详细说明

LTC4370 在两个二极管“或”12V 电源之间平衡一个 10A 负载电流。均流通过调节
MOSFET 电压降以补偿电源电压的失配来实现
影响负载均分的器件内部组件。误差放大器 EA 负责监视 OUT1 和 OUT2
引脚之间的差分电压。它设定两个伺服放大器 (SA1 和 SA2,每个电源采用一个) 的正
向调节电压 VFR。伺服放大器调节外部 MOSFET 的栅极 (因而包括其电阻) 以使
MOSFET 两端的正向压降等于正向调节电压。误差放大器将较低电压电源上的 VFR 设定
为 25mV 的最小值。较高电压电源上的伺服被设定为 “25mV + 两个电源电压的差”。
这样,两个 OUT 引脚电压实现了均等。OUT1 = OUT2 意味着 I1 • R1 = I2 • R2。于是,
倘若 R1 = R2 则 I1 = I2。可以采用对取值不同的检测电阻器进行简单的调整以形成“比
例式”均流,即:I1 / I2 = R2 / R1。请注意,负载电压跟踪低于电源电压 25mV。

MOSFET 与伺服放大器一道起一个二极管的作用,此二极管的接通电压为正向调节电压。
MOSFET 在其正向压降下降至低于调节电压时被关断。当 MOSFET 电流增加时,栅极
电压上升以减小导通电阻,从而把正向压降保持在 VFR。这会发生在栅极电压高出电源电
压达 12V 之前。电流的进一步上升将导致 MOSFET 两端的压降以 IFET • RDS(ON) 线性
增加。
鉴于上述情况,当误差放大器设定了伺服放大器的正向调节电压时,其在功能上等同于调
节 (基于 MOSFET 的) 二极管的接通电压。调节范围从 25mV 的最小值至由 RANGE
引脚设定的最大值 (见下文中的“设计考虑”)。
控制器能实现 0V 至 18V 电源的负载均分。当两个电源均低于 2.9V 时,需要在 VCC 引
脚上连接一个 2.9V 至 6V 的外部电源,以为 LTC4370 供电。当出现反向电流时,
MOSFET 的栅极将在 1μs 之内关断。对于一个大的正向压降,栅极也将在不到 1μs 的
时间里接通。快速接通 (这一点对于低电压电源很重要) 是利用集成型充电泵输出端上的
一个储能电容器实现的。该电容器在器件上电时储存电荷,并在快速接通过程中输送 1.4A
的栅极上拉电流。/EN1 和 /EN2 引脚可用于关断其各自的 MOSFET。需注意,电流仍会流过 MOSFET
的体二极管。当两个通道均关断时,器件的电流消耗减低至每个电源 80μA。FETON 输
出负责指示各自的 MOSFET 是处于导通还是关断状态。
均流特性
 采用可调二极管法时的均流特性。图 3 包含两幅曲线图,皆在 x
轴上具有电源电压差 ΔVIN = VIN1 – VIN2。上方的曲线图示出了两个归一化至负载电流的电
源电流;下方的曲线图则示出了 MOSFET 两端的正向电压降 VFWDx。当两个电源电压相
等 (ΔVIN = 0V) 时,电源电流相等,而且两个正向电压处于 25mV 的最小伺服电压。当
VIN1 升至高于 VIN2 (ΔVIN 为正),VFWD2 保持在 25mV,而 VFWD1 则精确地随着 ΔVIN 而
增加,以维持 OUT1 = OUT2。这反过来又使得 I1 = I2 = 0.5ILOAD。
对于由 RANGE 引脚设定的 VFWD 之调节有一个上限。中的例子而言,该限值
为 525mV,由 RANGE 引脚设定在 500mV。一旦 VFWD1 达到该限值,均流就将变得
不平衡,VIN1 的任何进一步上升都将把 OUT1 推至高于 OUT2。

断点为 VFR(MAX) – VFR(MIN),此时较高电压电源提供了较多的负载电流。当 OUT1 – OUT2
= ILOAD • RSENSE 时,全部负载电流转移至 I1。这是 MOSFET M1 中功率耗散最大的工作
点,因为全部负载电流都从其中流过,产生了最大的正向压降。例如:一个 10A 负载电
流在 MOSFET 中引起 5.3W (= 10A • 525mV) 的功率耗散。如果 ΔVIN 有任何进一步的
上升,则控制器将使 M1 两端的正向压降减低至 25mV 的最小值。在未均分负载电流的
情况下,对于大的 VIN,这可以最大限度地减少 MOSFET 中的功率耗散。对于负 ΔVIN,
动作是对称的。
在本例中,均分捕获范围为 500mV,并且由 RANGE 引脚电压设定。凭借此范围,控制
器能够共用具有一个 ±250mV 容差的电源。这转化为:3.3V 电源的 ±7.5% 容差、5V 电
源的 ±5% 容差、以及 12V 电源的 ±2% 容差。
  • 深圳卓越盛科技,专营MAXIM.LT.IR.ST....等品牌集成电路及二三极管系列,可为客户提供配套,信誉第一,诚信为本,欢迎询价
    :QQ2642242324黄先 MSN:
    Abel.huang@hotmail.com
  • TEL:0755-61329486 黄先 Email:Abel.huang911@gmail.com

    免责说明:由于商品价格波动不一,本店所有商品价格均于当天询价为基准!