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深圳市新五棵星电子有限公司
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产品详细说明
| 描述 | MOSFET 12V 0.91A |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：MOSFET 12V 0.91A |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
| 漏极连续电流 | 0.85 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 290 mOhms at 4.5 V |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SC-70 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 32 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 290 mW |
| 上升时间 | 32 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 零件号别名 | SI1307DL-E3 |
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| 具体铺位： | 广东深圳深圳市福田区中航路国利大厦2425室 | 仓库位置： | 广东深圳深圳市福田区中航路国利大厦2425室 |
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| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |