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深圳国芯威科技有限公司
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供应RD06HVF1，RD06HVF1特现，RD06HVF1价优
产品详细说明
RD06HHF1是MOS FET的专门设计为HF RF功率放大器应用型
晶体管.
高功率增益：
Pout>6W, Gp>Pout6W, Gp16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz绝对最大额定值
（TC= 25°C除非另有说明）
符号参数条件额定值单位
VDSS漏极至源极电压Vgs=0V50 V
VGSS栅源电压VDS= 0V+ / - 20 V
PCH信道功耗TC= 25°C27.8 W
的引脚输入功率ZG= ZL=50Ω0.6 W
ID漏极电流 - 3 A
TCH信道温度 - 150°C
Tstg储存温度 - 40至+150°C
RTH JC热阻结到案件4.5°C/ W
注1：上述参数都保证独立。
电气特性
（TC = 25°C，除非另有说明）
符号参数条件限制单位
MIN TYP MAX。
IDSS零栅电压漏极电流VDS =17V，VGS= 0V - 10微安
IGSS门源漏电流VGS = 10V，VDS = 0V - 1微安
VTH栅极阈值电压VDS= 12V，IDS= 1mA时1.9 - 4.9 V
功率输出，输出功率VDD= 12.5V，引脚=0.3W，10 - W
ηD漏极效率F =175MHz时，IDQ= 0.3A60 65 - ％
负载VSWR宽容VDD =15.2V，PO= 6W（引脚控制）
F =175MHz时，IDQ= 0.3A，ZG=50Ω
负荷VSWR= 20:1（所有阶段
