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供应K9F1208R0B-JIB0,深圳现货,优势价格,原装正品

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产品价格:
0.1/ 1pcs
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0.1/ 100pcs
0.1/ 1k
0.1/ 10k
厂 家:
三星
封 装:
BGA
批 号:
05+
数 量:
5000
 
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产品咨询直线:0755-83782829

产品详细说明

制造厂商:三星                            产品类别: NAND-FLASH
工作电压:1.65V-1.95V                工作温度:-40~85摄氏度
存储介质类别:标准SLC
I/O接口位宽: 8bit                        存储密度:512Mbits=64MB
损坏区块: 包含坏块                   芯片版本:第三代芯片
芯片特征:普通(1片选+1状态)    
封装类型:FBGA                         封装材料: 无铅
包装:

Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 NAND 与nor flash 性能比较: flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,NAND器件执行擦除 操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为1。   由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s ,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进 行的,执行相同的操作最多只需要4ms。   执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。