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深圳市弘诺西科技有限公司
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产品分类
供应RJH60F7DPQ，IGBT高速功率开关RJH60F7DPQ进口原装特价
产品详细说明
深圳市弘诺西科技有限公司，供应 IGBT RJH60F7DPQ 原装特价！
应用：IGBT的高速功率开关
实拍展示
Type of IGBT channel: N-Channel N-沟道IGBT通道类型：
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor:最大功耗（PC）的IGBT晶体管：
Maximum collector-emitter voltage (Uce): 600V最大集电极 - 发射极电压（UCE）：600V
Collector-emitter saturation voltage (Ucesat): 1.35V集电极 - 发射极饱和的电压（Ucesat）：1.35V
Maximum collector-gate voltage (Ucg):最大集电极 - 栅极电压（UCG）：
Maximum gate-emitter voltage (Ueg):最大的门极 - 发射极电压（UEG）：
Maximum collector current (Ic): 90A最大集电极电流（IC）：90A
Maximum junction temperature (Tj):最大结温（Tj）：
Rise time or frequency switching: 0.074mks上升时间或频率切换：0.074mks
Maximum collector capacity (Cc), pf:集热器最大容量（cc），PF：
Manufacturer of RJH60F7DPQ-A0 transistor: Renesas RJH60F7DPQ-A0 晶体管的制造商：瑞萨
Package: TO-247A 封装形式：TO-247A
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