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特点
•引脚相当于CY7C1041BV33•高速TAA= 10纳秒•低有功功率-324毫瓦（最大）•2.0V数据保留•自动断电时取消•TTL兼容的输入和输出•易内存扩展CE和OE功能功能描述[1]CY7C1041CV33是一种高性能CMOS静态RAM的组织为262,144词的16 bits。
写入到设备是通过采取芯片启用（CE）和写使能（WE）输入低电平。如果启用低字节（BLE）低，则数据从I / O的引脚（I/O0-I/O7），写的是到指定的位置上的地址引脚（A0-A17）。如果字节高启动（BHE）低，则数据从I/ O引脚
（I/O8-I/O15）被写入到指定的位置上地址引脚（A0-A17）。从设备读数是通过采取芯片使能（CE）和输出使能（OE）低，而迫使写使能（WE）高。如果启用低字节（BLE）低，然后由该地址指定的存储器位置的数据从引脚会出现I/O0 - I/O7上。如果高位字节启用（BHE）低，然后从内存中的数据将出现在I/O8到I/O15。看本数据手册的后面的一个完整的真值表描述读写模式。
的输入/输出的引脚（I/O0-I/O15）被放置在一个高阻抗状态时，该设备是取消（CEHIGH），输出被禁用（OE高），BHE和BLE
被禁用（BHE，BLE高），或在一个写操作（CE低，和WE低）。CY7C1041CV33可在一个标准的44针400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装与中心的电源和地（革命）接脚分布，以及作为一个48球细间距球栅阵列（FBGA）封装。