深圳市古东科技有限公司 （非本站正式会员）

产品介绍：

标准包装	50
类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
FET 型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点	标准型
漏极至源极电压(Vdss)	40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	2.3 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds	6450pF @ 25V
功率 - 最大	300W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220AB
包装	管件

MOSFET的结构

　　一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。 　　对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在源极与漏极之间流动。 　　假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为p-type、基体则是n-type。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的电洞会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载子—电洞则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载子在源极和漏极间流动。 　　特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言，多数载子是电子；对PMOS而言，多数载子是电洞。相对的，漏极就是接受多数载子的端点。