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深圳市古东科技有限公司
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供应IRFB4115PBF,IRFB4115PBF
产品详细说明
产品介绍:
标准包装 | 50 |
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类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 104A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 62A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
功率 - 最大 | 380W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
特点
具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用
场效应管可应用于放大电路,由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.工作原理 要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示(上面↑)。
苏州工职院机电07C3-CZW-手打