- IC型号
深圳市古东科技有限公司
- 营业执照:已审核经营模式:经销商所在地区:广东 深圳企业网站:
http://www.irgd.com.cn/
收藏本公司 人气:204511
联系方式
- 地址:深圳市福田区福明路雷圳大厦12A10
- 联系人:甘小姐
- 电话:13509634531
- 传真:0755-83741638
- 手机:13509634531
- QQ:
- E-mail:100683183@QQ.COM
产品分类
友情链接
供应IRFB4321PBF,IRFB4321PBF正品原包装
产品详细说明
产品介绍:
标准包装 | 50 |
---|---|
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 85A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 33A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V |
功率 - 最大 | 350W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。