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;晶体管类型:MOSFET,晶体管极性:P。电压,VDS典型值:-20V,电流ID连拍:2.2A;电阻,:0.1ohm,电压,VGS RDS上测量:4.5V;电压,VGS次典型值:-0.95V;封装:SOT-23;终端类型:SMD,数量,卷轴:3000;抵抗