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深圳市金铠泽电子科技有限公司
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供应SVD2N60T
- 产品价格：
- ￥0.00/ 1pcs
- 交易说明：
- 原装现货
- 配送说明：
- 代收货款
- 厂 家：
- SL
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 1073
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产品详细说明
2A，600V N沟道
MOSFET
概述
SVD2N60T是一个N沟道
增强型高压功率MOS场效应
场效应晶体管采用士兰微电子的SRinTM
结构DMOS技术。改进的平面条形细胞
改进的守卫环终端都特别
量身定制，以最大限度地减少通态
电阻，提供出色的开关
性能，经受住了高能量脉冲雪崩
换向模式。
这些器件被广泛应用于ACDC
电源供应器，DC-DC
转换器和Hbridge
PWM电机驱动器。
特点
* 2A，600V，RDS（ON）（典型值）= 10V
*低栅极电荷
*低Crss
*快速开关
*改进dv / dt能力
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