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HEXFET功率电晶体IRF4905PBF供应
- 产品价格:
- ¥5/ 1pcs
¥4/ 10pcs
¥3.2/ 100pcs
¥3.2/ 1k
¥3.1/ 10k
- 交易说明:
- 广东省内可货到付款。
- 配送说明:
- 当天下单当天派送。
- 厂 家:
- IR
- 封 装:
- TO-220
- 数 量:
- 36452
产品咨询直线:0755-83677682
产品详细说明
先进工艺技术
超低导通电阻
动态电压变化率
175°℃工作温度
快速开关
p
充分额定雪崩
lead-fre
第五代hexfets国际整流器
利用先进的加工技术的实现
极低的导通电阻/硅面积。这
效益,结合快速开关速度和
加固设备的设计,hexfet功率
金氧半场效电晶体是众所周知的,提供设计师
一个非常有效和可靠的设备使用
在各种各样的应用。
220封装是首选的所有
我在和我我我,你是我的一部分我所有的一部分我们研究
耗散的水平约50瓦。低
热电阻和低成本的包装—
220有助于其广泛接受的
工业的。
参数的最大单位
我@锝= 25°连续漏极电流,电压@ - 10 V - 74
我@锝= 100°连续漏极电流,电压@ - 10 V - 52
调制解调器脉冲漏极电流- 260
钯@锝= 25°三功耗200瓦特
线性降额因子1.3瓦特/°丙
±栅源电压20伏电压
在单脉冲雪崩能量930焦耳
学习雪崩电流- 38
耳朵重复雪崩能量20焦耳
电压变化峰值二极管恢复电压变化- 5伏/的
天津工作和- 55到+ 175
储存温度范围
焊接温度,10秒300(1.6毫米的情况)
°丙
安装扭矩,6 - 32或立方米螺杆10磅•在(1.1n•米)
绝对最大额定值
参数类型。最大单位
研究θ赛马到–––0.75
研究θ政务司司长case-to-sink,扁平,油面0.50–––°/瓦特
研究θ茉莉junction-to-ambient–––62
热电阻
稳态分布容积= - 55v
铁路发展策略(上)
= 0.02Ω
我= - 74a
to-220ab
先进工艺技术
超低导通电阻
动态电压变化率
175°℃工作温度
快速开关
p
充分额定雪崩
无铅
描述
11 6 03
的
丁
girf4905pbf
我的参数。典型的。最大单位条件
连续电流源晶体管的象征
(体二极管)
––––––
显示的
论当前积分反向脉冲源
(体二极管)
––––––
PN结二极管。
室间隔缺损二极管的正向电压––––––- 1.6五天津= 25°,是= - 38,福格茨= 0
风帆反向恢复时间–––89 130纳秒天津= 25°,如果= - 38
qrr反向恢复电荷–––230 350数控电流变化率= - 100 A /µ的
吨向前开启时间内在的导通时间可以忽略不计(开启主要是由最小二乘+激光器)
一个方法,即米。典型的。最大单位条件
五(巴西)决策支持系统漏源击穿电压- 55––––––伏电压= 0,编号= - 250µ一
∆五世(巴西)决策支持系统/∆天津击穿电压温度。系数–––-0.05–––伏/°丙参考25°,编号= - 1毫安
铁路发展策略(上)的静态漏源导通电阻––––––0.02Ω电压= - 10 V,我- 38
电压(次)栅极阈值电压- 2–––- 4五,=电压,编号= - 250µ一
政府飞行服务队前21––––––跨导的西艾克= - 25 V,编号= - 38
––––––- 25
µ一
西艾克= - 55v,福格茨= 0
––––––- 250西艾克= - 44v,福格茨= 0,天津= 150°丙
源极正向漏––––––100 = 12V的
源极反向漏––––––- 100
一个
电压= - 20
高栅极电荷––––––180 = - 38
栅电荷––––––资历组别32 = - 44v数控公司
qgd栅漏(“苗”)负责––––––86 = - 10 V,见图6和13
运输署(上)导通延迟时间–––18–––内径= - 28伏
上升时间––––––编号= 99 - 38
运输署(关闭)关断延迟时间–––61–––梨= 2.5Ω
笔
如果时间–––96–––路= 0.72Ω,见图10
铅,
––––––
毫米(0.25in。)
从包装
与模具接触中心
连续供墨系统输入电容–––3400–––电压= 0
科斯的输出电容–––1400–––公积金份额= - 25 V
反馈电容反向传输电容–––640–––ƒ= 1.0mhz,见图5
新罕布什尔州
天津电气特性°= 25℃(除非另有说明)
劳工处内漏电感
内部电源电感––––––吗
染色法
信噪比
4.5
7.5
它源漏电流
重复评价;脉冲宽度的限制
最大结温度。(参见图11)
新闻处≤- 38,电流变化率≤- 270 /µ,内径≤五世(巴西)决策支持系统,
天津
≤175°丙
注释:
启动全国25°=,= 1.3mh
梨= 25Ω,I = - 38(见图12)。
脉冲宽度≤300的占空比≤µ;2%。
的
丁
克