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贝利科技（香港）有限公司
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供应RAMTRON铁电存储器 FM25V05-GTR，FM25V05-GTR全新原厂原装无铅现货，10+，2500/盘
- 产品价格：
- 28元/片/ 1pcs
- 交易说明：
- FM25V05-GTR全新原厂原装无铅,柜台现货
- 厂 家：
- RAMTRON
- 封 装：
- SOIC8
- 批 号：
- 10+
- 数 量：
- 5000
产品咨询直线：0755-82862090
产品详细说明
全新原厂原装无铅现货，10+，2500/盘
| 数据列表 | FM25V05 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 集成电路 (IC) |
| 家庭 | 存储器 |
| 系列 | - |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 存储器类型 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 存储容量 | 512K (64K x 8) |
| 速度 | 40MHz |
| 接口 | SPI 串行 |
| 电源电压 | 2 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 1140-1075-2 FM25V05-GTR-ND |
FRAM原理
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
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