贝利科技(香港)有限公司 (非本站正式会员)

贝利科技(香港)有限公司

营业执照:已审核经营模式:经销商所在地区:广东 深圳企业网站:
http://www.believe-tech.com

收藏本公司 人气:91380

联系方式

  • 地址:深圳市深南中路佳和华强大厦A座8楼A-815室
  • 联系人:陆先生QQ:1908921002,264441137,覃小姐Q:261874492
  • 电话:0755-82862090
  • 传真:0755-82862091
  • 手机:13826592928
  • QQ: QQ:1908921002QQ:261874492QQ:264441137 
  • E-mail:believe_tec@163.com

供应RAMTRON铁电存储器 FM25V05-GTR,FM25V05-GTR全新原厂原装无铅现货,10+,2500/盘

  • 供应RAMTRON铁电存储器 FM25V05-GTR,FM25V05-GTR全新原厂原装无铅现货,10+,2500/盘
产品价格:
28元/片/ 1pcs
交易说明:
FM25V05-GTR全新原厂原装无铅,柜台现货
厂 家:
RAMTRON
封 装:
SOIC8
批 号:
10+
数 量:
5000
 
点此询价

产品咨询直线:0755-82862090

产品详细说明

全新原厂原装无铅现货,10+,2500/盘

数据列表 FM25V05
产品相片 8-SOIC
标准包装 2,500
类别 集成电路 (IC)
家庭 存储器
系列 -
格式 - 存储器 RAM
存储器类型 FRAM (Ferroelectric RAM)
存储容量 512K (64K x 8)
速度 40MHz
接口 SPI 串行
电源电压 2 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOIC
包装 带卷 (TR)
其它名称 1140-1075-2
FM25V05-GTR-ND

FRAM原理

 FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。

  FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。

贝利科技(香港)有限公司是一家具有丰富运营经验和专业代理、分销世界知名品牌电子元器件的科技公司。

我们的承诺:保证全新原厂原装正品货!

欢迎新老客户来电!0755-83556567