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-4.2A/20V之P沟道MOS管 UTC(台湾友顺)之进口UT2305

  • -4.2A/20V之P沟道MOS管 UTC(台湾友顺)之进口UT2305
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厂 家:
台湾友顺
封 装:
SOT-223
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12
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产品详细说明

-4.2A/20V之P沟道MOS管 UTC(台湾友顺)之进口UT2305

品牌:UTC(台湾友顺)用途:开关电源

类别:MOSFET

沟道类型:P沟道

封装:SOT-223

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(C)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。