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产品详细说明
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制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS否
产品IGBT Silicon Modules
配置Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C1200 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散7.8 KW
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IHM130
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格SMD/SMT
它的组织变化和中间触头位置的关系有直线式、对数式和指数式三种。碳膜电位器有大型、小型、微型几种,有的和开关一起组成带开关电位器。它的电阻体是在马蹄形的纸胶板上涂上一层碳膜制成。这种电位器调节方便.
目前,应用在中压大功率领域的电力电子器件,已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场,在大功率(1MW),低频率(1kHz)的传动领域,如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势,而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景.
IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击。