- IC型号
北京万丰兴业科技有限公司
- 营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：北京 北京市企业网站：
http://www.abbdriver.com/
收藏本公司 人气：364399
联系方式
- 地址：北京市朝阳区汤立路216号
- 联系人：赵先生
- 电话：010-59264981
- 手机：13901002984
- QQ：
- E-mail：479521746@qq.com
推荐产品
供应优派克IGBT模块FZ1600R12KF4，优派克FZ1600R12KF4
产品详细说明
供应优派克IGBT模块FZ1600R12KF4，优派克FZ1600R12KF4
制造商Infineon
产品IGBT Silicon Modules
配置Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C1600 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散10 KW
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体IHM
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率(1MW)，低频率(1kHz)的传动领域，如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势，而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种:FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4电力电子器件构成其主流器件。
IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击。
