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常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司
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二极管(1109)三极管(12)场效应管MOSFET(1)其他未分类(8)
集成电路IC半导体分立器件分离式半导体产品工具与生产用具自动化及控制设备半导体 - 集成电路(IC)集成电路 (IC)过电压，电流，温度装置紧固件与机械产品传感器，转换器电路保护桥式整流器整流二极管快速恢复整流二极管
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供应BAT54S热销型号200MA (DC)，厂家直销BAT54S优质价格
产品详细说明
一、BAT54S 二极管的工作原理：
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
二、BAT54S 性能参数：
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 800mV @ 100mA |
|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管） | 200mA (DC) |
| 电压 - (Vr)（最大） | 30V |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 速度 | 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 |
| 二极管配置 | 1 对串联 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
